Консультант:
+7(7232) 26 44 09
с 10:00 до 19:00 в раб. дни
Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов

Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП-транзисторов

Автор: Красников Геннадий Яковлевич

Рейтинг:
(0)

Раздел: Материаловедение. Нанотехнологии

Издательство: Техносфера
ISBN: 978-5-94836-289-2
Год: 2011

Переплет: твердый переплет
Страниц: 800
Язык: русский
Тираж: 1000 экз.
Формат: 70x100/16 (170x240 мм)

7 540 тг.

Количество

Поступление на склад 28.12.2016
Поделиться:

В книге рассмотрены особенности работы субмикронных МОП-транзисторов, описаны направления развития и ограничения применения методов масштабирования транзисторов, представлены требования к подзатворным диэлектрикам и технологии их формирования, различные конструкции сток-истоковых областей МОПТ и технологические процессы создания мелкозалегающих легированных слоев. Рассмотрены проблемы влияния масштабирования размеров элементов в субмикронную область и особенностей технологических процессов на надежность и долговечность субмикронных МОП-транзисторов. Представлены данные о влиянии технологических процессов изготовления субмикронных СБИС (процессов плазменной обработки, ионного легирования и технологических операций переноса изображения) на деградацию подзатворного диэлектрика, а значит - на уровень выхода, надежность и долговечность годных готовых изделий.Книга предназначена для специалистов в области проектирования и разработки технологии изготовления КМОП СБИС, а также для студентов старших курсов, аспирантов и преподавателей технических вузов.

  • Комментарии
Загрузка комментариев...

Похожие товары:

  • Механика разрушения
    23 375 тг.
    Поступление на склад 28.12.2016
0 Корзина
Стоимость
заказа: 0 тг.
Перейти в корзину для оформления заказа
0
Закладки
Посмотреть