Консультант:
+7(7232) 26 44 09
с 10:00 до 19:00 в раб. дни
Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне

Нано-КМОП-схемы и проектирование на физическом уровне

Автор: Вонг Б.П.

Рейтинг:
(0)

Раздел: Электроника. Радиоэлектроника

Издательство: Техносфера
ISBN: 978-5-94836-377-6, 978-0-471-46610-9
Год: 2014

Переплет: твердый переплет
Страниц: 432
Язык: русский
Тираж: 1000 экз.
Формат: 70x100/16 (170x240 мм)

5 345 тг.

Количество

Поступление на склад 25.12.2016
Поделиться:

Книга содержит весьма актуальные сведения по особенностям современных технологий СБИС, уровня 130-90 нм, которые необходимо знать и учитывать при проектировании. Эти сведения изложены в первом разделе (главы 1-3). Во втором разделе (главы 4—9) описаны соответствующие приемы проектирования на физическом уровне для схем смешанного сигнала и аналоговых компонентов, схем памяти, методов снижения потребляемой мощности, схем ввода/вывода и защиты от электростатического разряда, целостности сигнала с учетом длинных межсоединений. В третьем разделе (главы 10-11) рассмотрены приемы проектирования, обеспечивающие повышение выхода годных и учет вариаций технологического процесса.Следует заметить, что до появления этой книги системного и собранного в одну книгу пособия для разработчиков современных СБИС на транзисторном уровне просто не было. Книга будет весьма полезна не только конструкторам, но и инженерам-технологам, осуществляющим разработку новых технологий и соответствующих правил проектирования.

  • Комментарии
Загрузка комментариев...

Похожие товары:

0 Корзина
Стоимость
заказа: 0 тг.
Перейти в корзину для оформления заказа
0
Закладки
Посмотреть