Консультант:
+7(7232) 26 44 09
с 10:00 до 19:00 в раб. дни
Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

Автор: Таперо К.И.

Рейтинг:
(0)

Раздел: Научные издания, теории, монографии, статьи, лекции

ISBN: 978-5-9963-0633-6
Год: 2014

Переплет: твердый переплет
Страниц: 304
Язык: русский
Формат: 60x90/16 (145x215 мм)

2 660 тг.

Количество

Поступление на склад 29.12.2016
Поделиться:

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц.Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

  • Комментарии
Загрузка комментариев...

Похожие товары:

0 Корзина
Стоимость
заказа: 0 тг.
Перейти в корзину для оформления заказа
0
Закладки
Посмотреть