Консультант:
+7(7232) 26 44 09
с 10:00 до 19:00 в раб. дни
Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы

Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы

Автор: Киреев В.Ю.

Рейтинг:
(0)

Раздел: Научные издания, теории, монографии, статьи, лекции

Издательство: Техносфера
ISBN: 5-94836-039-3
Год: 2006

Переплет: твердый переплет
Страниц: 192
Язык: русский
Тираж: 1500 экз.
Формат: 60x90/16 (145x215 мм)

1 045 тг.

Количество

Поступление на склад 29.12.2016
Поделиться:

Проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микроструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении функциональных слоев микросхем. Приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок.Для инженеров-технологов и научных работников, использующих в своей практической работе химическое осаждение пленок из газовой фазы. Книга может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям ВУЗов.

  • Комментарии
Загрузка комментариев...

Похожие товары:

0 Корзина
Стоимость
заказа: 0 тг.
Перейти в корзину для оформления заказа
0
Закладки
Посмотреть